收藏本站
IXFH160N15T2
200
180
Fig. 7. Input Admittance
240
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
160
T J = 150oC
200
140
25oC
- 40oC
160
25oC
120
100
80
60
40
20
0
120
80
40
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
300
250
200
8
7
6
5
I D = 80A
I G = 10mA
150
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
40
80
120
160
200
240
280
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS ( on) Limit
25μs
10,000
Ciss
100
100μs
1,000
Coss
10
1ms
100
Crss
1
T J = 175oC
T C = 25oC
10ms
DC
Single Pulse
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH160N15T MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH16N90Q MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
IXFH20N100P MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
IXFH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXFH22N55 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
IXFH22N60P MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
IXFH230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-247
IXFH230N10T MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH16N120P 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N50P 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N80P 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N90 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFH16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH170N10P 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH17N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs